장점
1. 모든 재료를 스퍼터링하고, 증착 할 수 있다.
2. 스퍼터 타겟은 안정적이고, 긴라이프 타임의 소스를 제공한다.
3. 모든 방향에서 증착이 가능하다.
4. 스퍼터링 타겟은 대면적 증발 소스를 제공 할 수 있다.
5. 스퍼터링 타겟은 특정 모양의 증발 소스를 구성 할 수 있다.
6. 스퍼터링 타겟은 콘 또는 구와 같은 기판 표면에 증착이 가능하다.
7. 재현성이 좋다.
8.다른 증발 시스템에 비해 복사열이 적다.
9. 다른 물질을 반응 증착 시킬 수 있다.
10. 화학 증기 전구체를 사용할 때 분자는 플라즈마에서 해리되거나 부분적으로 해리될 수 있다.
11. 일부 스퍼터링의 구조에서는 타겟소스의 효율성을 증가 시킬 수 있다.
12. 한번에 표면 처리 구성이 용이하다.
Disadvantages in some cases:
l In many sputtering configurations the ejection sputter pattern is non-uniform and special fixturing, tooling, or source design must be used to deposit films with uniform properties.
l Most of the sputtering energy goes into heat in the target and the targets must be cooled. l Sputter vaporization rates are low compared to those that can be achieved by thermal vaporization.
l Sputtering is not energy-efficient. l Sputtering targets are often expensive.
l Sputter targets, particularly those of insulators, may be fragile and easily broken in handling or by non-uniform heating. 278 Chapter 7
l Utilization of the target material may be low.
l Substrate heating from electron bombardment can be high in some configurations. l Substrates and films may be bombarded by short-wavelength radiation and high energy particles that are detrimental to their performance.
l Contaminants on surfaces in the deposition chamber are easily desorbed in plasmabased sputtering due to heating and ion scrubbing.
l Gaseous contaminants are “activated” in plasma-based sputtering and become more effective in contaminating the deposited film.
l When using chemical vapor precursors, the molecules may be dissociated or partially dissociated in the plasma to generate “soot”.
l High energy reflected neutrals in low pressure and vacuum sputtering can be an important, but often uncontrolled, process variable.
'진공 기술' 카테고리의 다른 글
| 진공 증착 박막 두께 추정 방법 (0) | 2023.02.22 |
|---|---|
| Quartz Crystal Sensor(QCM 센서)의 활용 (0) | 2022.07.12 |
| 기체의 운동 이론 (0) | 2021.03.19 |
| 진공의 단위와 구분 (0) | 2021.03.18 |
| 진공 기술의 역사 (1) | 2021.03.18 |
